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Intel规划浮栅型结构3D PLC闪存:明年把QLC堆到144层
2019-09-26 11:18:45  出处:快科技 作者:万南 编辑:万南   点击可以复制本篇文章的标题和链接

从SLC、MLC、TLC到QLC,SSD的价格被拉下神坛,同时,容量密度也大幅提升。尽管QLC颗粒的SSD在市场上仍不算多见,可存储巨头们已经开始探讨PLC(5bit/cell)的前景了。

PLC的电压状态骤增到32种,对主控提出了新的挑战。

在介绍活动中,Intel透露,其3D PLC闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构(Floating Gate),尽管当前3D闪存的主流结构是Charge Trap电荷捕获型,但Intel指出,浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀。

Intel规划浮栅型结构3D PLC闪存:明年把QLC堆到144层

有路边消息称,Intel和美光之所以在SSD上分手,原因是美光决定放弃浮栅转向电荷捕获,加入三星、东芝、SK海力士等大军。三星曾强调,电荷捕获相较浮栅技术,可以有效提升闪存的耐久度。

Intel规划浮栅型结构3D PLC闪存:明年把QLC堆到144层

另外,Intel表示,今年将推出96层QLC存储产品,明年首秀业内首款144层QLC固态硬盘,用于数据中心。

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